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SCALE-iDriver
来源:PI  时间:2016-05-13

具有先进的安全和保护功能的电气绝缘的单通道门极驱动器IC

https://igbt-driver.power.com/sites/default/files/images/schematics/scale_idriver_schematic.png#

典型应用电路原理图

 

数据手册

SCALE-iDriver Data Sheet—Single-channel IGBT/MOSFET Gate Driver Providing Reinforced Galvanic Isolation

产品详情

SID11x2K是采用标准eSOP封装的单通道IGBT和MOSFET驱动器。该器件利用Power Integrations创新的固体绝缘FluxLink技术实现了加强电气绝缘。其峰值输出驱动电流可达8 A,可直接驱动450 A(典型值)的开关器件,而无需任何额外的有源元件。对于更大电流的半导体器件,其所要求的门极电流会超出SID11x2K的最大输出电流,可以在外部添加一个放大器(推动级)。稳定的门极正负电压由一个单极隔离电压源提供。

该器件还具有带高级软关断(ASSD)的短路保护(DESAT)、用于原方/副方的欠压保护(UVLO)以及带温度和过程补偿输出阻抗的轨到轨输出等更多功能,可确保产品即使在严苛的条件下也能安全工作。

控制器(PWM和故障)信号兼容5 V CMOS逻辑电平,使用外部电阻分压可将逻辑电平调整到15 V。

应用概述

 

主要特征

● 高度集成,封装紧凑

○ 独立的门极开通和关断管脚,可提供8 A峰值驱动电流

○ 集成的FluxLink™技术为原方与副方提供可靠绝缘

○ 稳定的轨到轨输出电压

○ 副方供电为单极电源电压

○ 适合600 V/650 V/1200 V IGBT和MOSFET功率开关

○ 开关频率最高250 kHz

○ 传输延迟时间非常短,仅为260 ns

○ 传输延迟抖动±5 ns

○ 工作环境温度介于-40°C至125°C之间

○ 具有较高的共模瞬态抗扰性

○ 采用9.5 mm电气间隙和爬电距离的eSOP封装

● 先进的保护/安全功能

○ 原方和副方欠压保护(UVLO)与故障反馈

○ 采用VCESAT监控和故障反馈二极管*或电阻串**的短路保护(参见图1)

○ 高级软关断(ASSD)

● 完全符合各项安规要求

○ 产品100%进行局部放电测试

○ 产品100%进行6 kV RMS 1秒的HIPOT合规性测试

500万彩票网○ 符合VDE 0884-10的加强绝缘标准

● 环保封装

500万彩票网○ 无卤素且符合RoHS标准

产品型谱

产品1 峰值输出驱动电流
SID1132K 2.5 A
SID1152K 5.0 A
SID1182K 8.0 A

注释:

封装 - K: eSOP-R16B.

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